功能描述：MOSFET N-CH 250V 24A 8TDSON

制造商：infineon technologies

系列：OptiMOS??

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：250V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：24A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 90μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：30nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2410pF @ 125V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：150W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：67 毫欧 @ 24A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-TDSON-8

封装/外壳：8-PowerTDFN

标准包装：1

BSC750N10ND

BSC750N10ND G

BSC750N10NDG

BSC882N03LSG

BSC882N03MS G

BSC882N03MSG

BSC883N03LS G

BSC883N03LSG

BSC883N03MS G

BSC883N03MSG